Investigadores de la Universidad de California en Berkeley, han desarrollado un nuevo elemento integrado en transistores de una computadora, que permitirá que esta funcione con menos energía sin afectar la velocidad, tamaño o rendimiento.
En un comunicado, la Universidad señala que este nuevo componente, conocido como 'óxido de puerta' es una capa delgada de material que permite reducir la cantidad de voltaje requerida para controlar los transistores mediante el encendido y apagado de los mismos, logrando un aumento en la eficiencia energética de la computadora.
De acuerdo con los investigadores, se debe al efecto 'capacitancia negativa', el cual solo se podía obtener anteriormente en materiales ferroeléctricos llamados perovskitas, cuyas estructuras cristalinas son incompatibles con el silicio empleado en los transistores computacionales.
Para probar el rendimiento de la 'super red' como óxido de puerta se fabricaron transistores de canal corto, y se observó que los dispositivos requerían aproximadamente 30 % menos de voltaje que los transistores existentes.
Sayeef Salahuddin , quien está al frente del equipo de científicos, comentó que "hemos podido demostrar que nuestra tecnología de óxido de puerta es mejor que los transistores disponibles comercialmente".
En la nueva investigación, publicada en la revista Nature, se reveló que este efecto se puede alcanzar al combinar el óxido de hafnio con el óxido de circonio en una estructura cristalina diseñada conocida como 'super red', que es compatible con transistores avanzados fabricados con silicio, además de que puede conducir ferroelectricidad y antiferroelectricidad de manera simultánea.
El equipo de científicos detalló que se logró un mejor efecto de capacitancia negativa al utilizar la estructura de la 'super red', que está compuesta por tres capas atómicas de óxido de circonio intercaladas entre dos capas atómicas de óxido de hafnio puestas de forma individual. (RT)
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